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onsemi NRVBA210LNT3G
| Artikelnummer: | NRVBA210LNT3G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.54 |
| 10+ | $0.463 |
| 100+ | $0.3461 |
| 500+ | $0.2719 |
| 1000+ | $0.2101 |
| 2000+ | $0.1916 |
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- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
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onsemi NRVBA210LNT3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NRVBA210LNT3G.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 350 mV @ 2 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 10 V Technologie Schottky Supplier Device-Gehäuse SMA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie Automotive, AEC-Q101 Verpackung / Gehäuse DO-214AC, SMA Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 125°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 700 µA @ 10 V Strom - Richt (Io) 2A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer NRVBA210 -
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